2001年 ニュースリリース
4月5日 
2001年4月5日
日立金属株式会社
日立金属株式会社
高出力GMRセンサーの開発について
日立金属は、この度、GMR(Giant Magneto-Resistive:巨大磁気抵抗効果)膜を用いた高出力で温度変化に強いGMRセンサーを開発しましたのでお知らせいたします。
1.経緯
当社は、磁気信号を読み取り、回転角度や位置を検出するロータリーエンコーダー、リニアエンコーダー用AMR(Anisotropic Magneto-Resistive:異方性磁気抵抗効果)センサーを生産しております。この磁気センサーは、光学式などの他センサーと比較し、種々多様な環境下で使用が可能であり、工業用工作機械やプリンターなどのOA機器等の位置決め用に幅広く使用されております。
近年、これらの機器の高性能化、小型化に伴い、高出力、高感度、高分解能な磁気センサーの開発が求められてきました。
これらの要求に応えるには、従来のAMRセンサーでは限界があり、新しい素子の開発が必要となりました。そこで、当社は、これまで磁気ヘッドウェハーのプロセス分野で培ってきた超薄膜技術、薄膜積層技術および材料設計技術を活用し、温度変化に強く対環境性に優れた「独自のGMR素子」の開発に成功し、この素子を使用した高出力かつ高安定なGMRセンサーを商品化いたしました。
このGMRセンサーの実用化により、コンパクトで高精度な位置決めが可能となり、例えばカメラ、プリンターなどの小型、高精細な機器への更なる用途の拡大が期待されます。
2.特長
| (1)高出力 | |
| ・当社AMRセンサー比:出力3倍 ・素子磁気抵抗変化率:10%(±7000A/m時) |
|
| (2)高い信頼性 | |
| ・-40℃〜120℃間の出力変動:±20%以下 ・250℃の熱プロセス後も特性変化は、5%以下 |
3.仕様
| (1) | 回路抵抗値 | 500Ω |
| (2) | 磁気抵抗変化率 | 10%(±7000A/m時) |
| (3) | 低磁界感度 | 5%(±2000A/m時) |
| (4) | 飽和磁界 | 7000A/m |
| (5) | 使用温度範囲 | -40℃〜120℃ |
| (6) | 中点電位 | 2.5V±0.5V |
| (7) | 中点ドリフト | ±5mV以下 |
4.用途
工作機械、カメラ、プリンター、複写機などに用いられるロータリーエンコーダー、リニアエンコーダー、モーションセンサー、位置センサー等5.特許
5件6.販売計画
2001年度 10万個/月2002年度 100万個/月