パワー半導体モジュール用Si3N4絶縁基板 パワー半導体モジュール用Si3N4絶縁基板

パワー半導体
モジュール用
Si3N4絶縁基板

概要

高強度・高靱性のSi3N4セラミックスに高熱伝導性を付与することで耐熱衝撃性および耐熱疲労性を向上させ、半導体モジュールの信頼性を大幅に改善しました。また、従来材のアルミナおよび窒化アルミでは不可能な新規モジュール構造を実現しました。

独創性・優位性

トレードオフの関係にある強度と熱伝導率を両立した材料開発に成功しました。100W/m.K×1000MPa(研究レベル)は世界最高水準です。

直接効果

関連効果

開発Si3N4の応用分野:

応用分野

お問い合わせはこちら

個人情報保護方針

関連リンク